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更新于 12月13日
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舉報

刻蝕工藝工程師

1.2萬-2.2萬
  • 蘇州虎丘區(qū)
  • 3-5年
  • 本科
  • 全職
  • 招1人

職位描述

工藝設計刻蝕工藝圓晶芯片
崗位職責： 1、負責新產品新結構干法刻蝕的評估驗證以及工藝開發(fā)； 2、負責干法刻蝕過程中的數(shù)據(jù)收集、及異常問題分析與解決，持續(xù)優(yōu)化工藝； 3、負責已開發(fā)產品的量產導入工作，制訂和維護刻蝕相關的工藝文件，包括FEMA，CP，SOP等； 4、協(xié)助市場需求評估以及部門負責人安排的其他工作。
任職要求： 1、本科及以上學歷，微電子、材料、半導體物理、集成電路工程、物理和化學等相關專業(yè)，具有3年以上硅基半導體工藝開發(fā)經驗者優(yōu)先； 2、有半導體工藝工作經驗，對半導體無源器件有一定的了解。熟悉常規(guī)刻蝕以及Bosch工藝，具有深硅Trench/cavity/TSV刻蝕工藝及金屬，介質層等刻蝕工藝技術者優(yōu)先考慮； 3、做事認真，服從管理，吃苦耐勞，有責任心； 4、具備良好的溝通協(xié)作能力和團隊合作精神，能承受一定的工作壓力；具備自我學習能力和自我管理能力，可獨立完成交代任務。 5、英語能力良好，具備查閱、閱讀文獻能力。

工作地點

蘇州蘇納光電有限公司

職位發(fā)布者

馮女士/人事

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公司Logo蘇州蘇納光電有限公司
蘇州蘇納光電有限公司依托“中科院蘇州納米所”、“中科院納米器件與應用重點實驗室”的科研成果為技術依托，立足于材料生長技術和器件工藝開發(fā)的持續(xù)創(chuàng)新，努力在光通信、激光測距、監(jiān)控與測量、醫(yī)學成像、紅外照明與防偽等產業(yè)領域為下游客戶帶來核心價值。公司重點開展基于金屬有機化學氣相沉積（MOCVD）、分子束外延（MBE）的紅外波段InGaAs PIN/PD/APD及陣列、InGaAs短波紅外焦平面、近紅外F-P/DFB激光器(LD)、垂直腔面發(fā)射激光器(VCSEL)；Si基PD/APD；寬禁帶(In)GaN、AlInN/GaN量子結構材料的制備；高效、柔性太陽能電池等方面的工作。目前公司針對企業(yè)、高校和研究所的不同用戶，主要提供如下產品：一、InGaAs PIN/PD/APD(λ=1310/1550nm)；二、InGaAsF-P激光器(λ=1310/1550nm)；三、SiPIN/PD/APD(λ=635/905/1060nm)。公司承接各類GaAs/InP基、GaN、Si基等光電器件的材料設計/生長/測試及相關器件工藝加工等。蘇納光電立足于材料生長技術和器件工藝的持續(xù)創(chuàng)新，努力在始終遵奉“以客為尊”、“以質為榮”、“持續(xù)改進”、“爭創(chuàng)品牌”的經營理念；堅持以市場為核心，使電子元器件的市場占有率逐步提高，竭誠歡迎各行業(yè)用戶蒞臨參觀考察、洽談合作。
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