任職要求：
1、對半導體功率器件基本原理有扎實的功底，對功率MOS芯片設計技術、光刻版設計技術有優(yōu)良的掌握；
2、熟練應用功率芯片設計軟件（如sentaurus、silvaco、MEDICI）、光刻版設計軟件（如L-edit）；
3、具有600V以上功率MOS超結結構芯片設計經驗，或具有100V以上功率MOS SGT結構芯片設計經驗，具有成功流片形成芯片產品的經驗。
4、具有指導團隊研發(fā)超結、SGT等新型功率MOS芯片產品的經驗和能力。
6、責任心強，工作認真、仔細；
7、具備創(chuàng)新思維和創(chuàng)造力，能夠提出新穎的想法和解決方案；
8、有良好的團隊合作能力、表達能力、溝通協(xié)調能力和學習總結能力；
9、熱愛技術、注重工作效率、有自我驅動力；
10、有適應能力，能夠快速適應新環(huán)境、新任務、新要求。
崗位職責
1.根據(jù)芯片設計要求，負責芯片工藝流程、結構、版圖設計；
2.負責光刻版制作、外協(xié)流片的技術溝通；
3.負責芯片的失效分析和改進。
4、負責帶領團隊快速形成超結、SGT等新型MOS芯片研發(fā)能力，并形成系列芯片產品。
經錄用待遇從優(yōu)，五險一金，可享受員工培訓、節(jié)日福利、餐飲補貼、租房補貼、取暖補貼、高溫津貼、交通補貼等。