北京超弦存儲器研究院于2020年9月在北京經濟技術開發(fā)區(qū)成立。作為產學研合作平臺，研究院聚焦國際先進的存儲器技術研發(fā)和高端人才培養(yǎng)，致力于實現國產存儲器芯片制造技術的持續(xù)迭代，努力成長為世界存儲器芯片的技術創(chuàng)新高地。研究院的研究方向集中于DRAM制造技術的尺寸微縮，在DRAM新架構、新材料、新工藝、先進封裝、先進光刻技術、近存計算和高帶寬存儲等領域，對未來DRAM量產技術可能存在的主要路徑開展系統(tǒng)的工藝研發(fā)和設計-制造協(xié)同優(yōu)化。目前主要的研究項目包括4F2垂直圍柵晶體管動態(tài)隨機存儲器、銦鎵鋅氧場效應晶體管動態(tài)隨機存儲器、橫向堆疊單元存儲器、垂直圍柵晶體管磁存儲器等基于新器件結構的存儲器制造技術；基于混合鍵合技術的高帶寬存儲器芯片和近存計算、存內計算等芯片的設計和制造；以及先進DRAM制造中的關鍵光刻技術和設計技術方法學研究等。研究院擁有12英寸先進DRAM研發(fā)所需的硬件條件，包括傳統(tǒng)的1X DRAM全流程基礎工藝和一系列由特種裝備構成的短流程特色工藝；設計制造協(xié)同優(yōu)化所需的軟件平臺；以及具有豐富的芯片工藝和設計研發(fā)經驗的技術團隊。研究院與清華大學、北京大學、中國科學院微電子研究所等國內外領先的高校院所和集成電路行業(yè)領軍企業(yè)建立了緊密的合作關系，開展基于項目的研發(fā)合作。同時，研究院與上述三家院所在人才聯(lián)合培養(yǎng)方面開展了系統(tǒng)而緊密的合作，為產業(yè)研究生的培養(yǎng)提供了研發(fā)和實訓平臺。